IPB05N03LB參數(shù):MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:1,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):80A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 60A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3209pF @ 15V功率 - 最大值:94W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3